一种高纯碳化硅粉料的制备方法与流程

本发明属于新材料晶体加工领域，具体涉及一种高纯碳化硅粉料的制备方法。背景技术碳化硅单晶是最重要的第三代半导体材料之一，因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质，而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。高纯碳化硅单晶是制备高频

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四、 碳化硅的制备方法 4 1 碳化硅粉料的制备 4 1 1 SiO2 C 还原法 工业上按下列反应式利用高纯度石 英砂和焦炭或石油焦在 电阻炉内生产 SiC: 4 2 碳化 硅陶瓷的制备 SiC 很难 烧结, 其晶界能与 表面能之 比很高, 同时 SiC 烧结 时扩散 速率 很低