一种去除多晶硅中杂质的方法 X技术

因此，利用冶金法获得6N纯度多晶硅，生产低成本太阳能电池用多晶 硅成为一项研宄开发的重点技术。 专利CNC采用酸洗方法提纯多晶硅，但未对硅 块进行针对性的破碎，影响去除效果；采用盐酸酸洗无法去除硅表面的氧化层，该氧化层阻 止酸与硅附着杂质的反应，无法针对性的去除杂质铝。

多晶硅表面金属杂质含量的控制方法 X技术

多晶硅生产装置生产出来的多晶硅产品，从还原炉装置出来后，在千级或万级洁净室内，采用机械破碎或人工破碎，将硅棒破碎成棒状、块状、颗粒状产品，这个过程中会有金属、非金属、室内粉尘与多晶硅产品进行接触，如不控制多晶硅表面洁净度，会存在二次污染的现象，直接影响拉单晶、铸锭

多晶硅的表面金属杂质引入探讨论文百度文库

多晶硅 表 面存 在 的微 量杂 质大 大影 免的与各种物体接触 ， 在这个过程 中， 物体上的一部分杂 质将 进入 多 晶硅 的表 面 ， 引起 污染 。 本实 验分 别 从 硅 棒 拆 炉 中 、 硅棒拆炉后 、 硅 棒 破 碎 后、 硅棒包 装 后这 四个 阶段 中取 样 ， 具

多晶硅破碎污染雜质純度的最新相关信息

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