浅析MOS管如何快速关断背后的秘密（转） 知乎

原文链接： 浅析MOS管如何快速关断背后的秘密 电源技术论坛 中国电子技术论坛 最好最受欢迎电子论坛!MOS管的快速关断原理 R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了，当低电位来时Q1为泻放扩流管。 功率MOS…

如何给MOSFET驱动提供可靠的负压关断 电源管理 电源

高边的MOS和驱动芯片之间已加隔离变压器和隔直电容，但是占空比很小，所以关断时候负压很小，总是会被误触发。 低边的MOS关断时候是零电压，也不可靠。 有没有什么办法在改动很少的情况下加上可靠的负压关断（至少2V）？

小科普｜功率MOSFET的开通和关断过程 知乎

本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关…

MOSFET的电路加负压驱动 电路设计论坛 中国电子技术

我看一个MOSFET驱动电路的设计与仿真PPT里面说，Vg中存在负电压，一定程度上加长了驱动延迟时间，要消除负压，然后又看了一个技术手册，专门介绍了一种负压驱动电路。 如下图所示，所示可以负压驱动可以加速关断速度~ 然后我就懵了，想问下大家，什么时候要用负压驱动？

MOS管当开关控制时，为什么一般用PMOS做上管NMOS做

下面先了解MOS管的开通/关断 原理，请看下图： NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（S电位比G电位

工程师必须掌握的 MOS 管驱动设计细节 知乎

与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。由此我们可以知道，如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低，就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。

功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现，怎样实现？百度知道

功率mosfet 的三 个端 bai 口，du G 极，D极，S极。G极控 zhi 制mosfet的开 通，关 断，给 dao GS极之间加正 内 向电压(高电平)，达 到导 容 通电压门槛值之后就能导通。 同理，给一个低电压(低电平)mosfet就能关断。既然是高低电平当然能用PWM

状态: 未解决共 2 条回答用NMOS还是PMOS关断好百度知道状态: 未解决为什么 Si MOSFET的驱动电压是正负15V,而SiC MOSFET的 状态: 未解决查看更多结果

Littlefuse的Sic MOS管驱动需要负压关断么？用在PFC升压

Littlefuse的Sic MOS管驱动需要负压关断么？用在PFC 升压电路上，多谢指教！ 创建于 写回答 2个回答 bsy1984世强 (0) 一般理论上SiCMOS是0V关断，但在实际应用设计上，建议在设计驱动电压时采用负压关断，一般取4V左右

如何给MOSFET驱动提供可靠的负压关断 电源管理 电源

高边的MOS和驱动芯片之间已加隔离变压器和隔直电容，但是占空比很小，所以关断时候负压很小，总是会被误触发。 低边的MOS关断时候是零电压，也不可靠。 有没有什么办法在改动很少的情况下加上可靠的负压关断（至少2V）？

MOSFET的电路加负压驱动 电路设计论坛 中国电子技术

我看一个MOSFET驱动电路的设计与仿真PPT里面说，Vg中存在负电压，一定程度上加长了驱动延迟时间，要消除负压，然后又看了一个技术手册，专门介绍了一种负压驱动电路。 如下图所示，所示可以负压驱动可以加速关断速度~ 然后我就懵了，想问下大家，什么时候要用负压驱动？

MOS管应用电路及经典电路分析KIA MOS管

MOS管应用电路 MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。现在的MOS驱动，有几个特别的需求。

功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现，怎样实现

这样的电路能否关断MOS管 原理是什么 谢谢大神 追答 0压 ，或者低负压都可以。一般情况下，都是0 压。 已赞过 已踩过 你对这个回答的评价是？ 评论 收起 shacat20 TA获得超过3785个认可 知道大有可为答主 回答量： 8669 采纳率： 64% 帮助的

状态: 未解决共 2 条回答

【干货】MOS管应用概述振荡

3、当第二种方案不足时，引入负压确保关断。 C、增加DS电容 在ZVS软开关电路中，比如UC3875移相电路中，MOS管DS之间，往往并联无感CBB小电容，一般容量在10nF以内，不能太大，有利于米勒振荡，注意该电容的发热量，频率更高的时候，需要用云母

Littlefuse的Sic MOS管驱动需要负压关断么？用在PFC升压

Littlefuse的Sic MOS管驱动需要负压关断么？用在PFC 升压电路上，多谢指教！ 创建于 写回答 2个回答 bsy1984世强 (0) 一般理论上SiCMOS是0V关断，但在实际应用设计上，建议在设计驱动电压时采用负压关断，一般取4V左右

一种mos管的负压驱动电路及开关电源的制作方法 X技术

即加到MOS管Q4的源极的电压为高电平，加到MOS管Q4的门极的电压为低电平，从而实现了MOS管Q4的门极负压驱动，关断了 MOS管Q4 。 [0025]如图5所示，图5是本实用新型实施例的一种开关电源的原理框图。图5所示的开关电源可应用于新能源汽车

MOSFET的电路加负压驱动 电路设计论坛 中国电子技术

我看一个MOSFET驱动电路的设计与仿真PPT里面说，Vg中存在负电压，一定程度上加长了驱动延迟时间，要消除负压，然后又看了一个技术手册，专门介绍了一种负压驱动电路。 如下图所示，所示可以负压驱动可以加速关断速度~ 然后我就懵了，想问下大家，什么时候要用负压驱动？

全桥逆变电路mos管关断时尖峰电压很高怎么解决

全桥逆变电路mos管关断时尖峰电压很高怎么解决？amobbs 阿莫电子论坛电子综合电子技术 1，驱动电阻原来47Ω，加大到33Ω是有所降低，但功率管发热比之前大了些，没继续加上去了。

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